Depletion Region(공핍영역)에 대해 알아보자

"Depletion Region(공핍영역)"

 

 

 

 

P형 반도체는 다수 캐리어가 정공을 말하며 N형 반도체는 다수 캐리어가 전자를 말한다.

 

 

 

 

 

PN 접합이 형성되는 순간 N영역의 접합 근처에 있던 일부 전자는 접합을 넘어 P영역으로 확산, 이들 전자는 접합 근처의 정공과 결합하게 된다.

PN접합 형성시, N영역의 전자들이 접합을 넘어 확산하기 때문에 N영역은 자유전자들을 잃게 되어 접합 부근에 양전하층을 만든다. 전자가 접합을 넘어 움직이므로 P영역에서 전자와 정공의 결합, 따라서 P영역은 정공을 잃게 되고 P영역의 접합 부근에 음전하층이 형성된다. 이들 2개의 양전하층과 음전하층이 공핍영역을 형성한다.

 

즉, PN접합면 경계는 전자와 정공의 재결합으로 캐리어가 존재하지 않는다. 공핍영역은 무한히 확대되지 않고 전류가 서로 같은 양이 될 때까지만 확장되고 평형을 이룸.

 

PN접합 부근에서는 전하 반송자가 고갈된다는 사실에서 공핍이라는 용어사용하고 이 영역을 Depletion Region이라 한다.