맘여린나

"Ion Implantation" Ion Implantation(이온주입)이란 반도체 물질의 전기적인 특성을 수정하기 위해 반도체 물질의 결정 구조 속으로 도펀트를 주입하는 공정을 의미한다. 기판에 도펀트를 주입할 때, 고압의 이온충돌이 필요하다. 이온주입 공정과 확산 공정과의 차이점은 커버하는 영역을 예로 들 수 있는데, 이온주입은 확산에 비해 좁은 영역(정밀한 부분)의 전기적인 특성을 수정할 때 이온주입 공정을 사용한다. 이온주입의 장점 1) 불순물 농도의 정교한 제어 2) 저온에서 공정이 진행 3) 도펀트 침투 깊이를 제어할 수 있다 이온주입의 단점 도펀트를 주입할 떄, 기판의 결정구조가 손상이 된다. 이온주입기의 구조 이온주입기의 구조는 크게 5가지로 나눌 수 있다. 1) Ion source(이온..

"Photolithography" Development 공정 Spray Puddle Immersion 정의 저속 회전하면서 현상액을 분사하는 과정 초저속 회전상태에서 현상액 분사 후 표면장력을 이용하는 과정 현상액 탱크에 웨이퍼를 침전시켰다 빼는 과정 장점 → 현상액 소량 소모 → 항상 새 용액을 사용하기 때문에 깨끗함 → Spray 압력으로 인해 정확한 패턴 형성 가능 → 현상액 소량 소모 → 항상 새 용액을 사용하기 때문에 깨끗함 → Spray 공정 대비 온도 조절이 쉬움 → 공정이 간단 → 수 차례 재사용 가능 → 한꺼번에 다수의 웨이퍼 처리 가능 단점 → 고가의 설비 → 한 번에 처리할 수 있는 양이 적다 → Spray 온도 제어를 못하면 Positive PR의 현상에 영향 → 고가의 설비 → 한..

"Photolithography Issue" → PR 두께를 결정하는 요인 1) PR의 점도 : 점도가 높을수록 PR의 두께가 두껍다. 2) 최종 회전 속도 : RPM이 높을수록 PR의 두께는 얇아진다. 3) 기타 parameter : 가속도, 웨이퍼 크기, Polymer 함량 Coating 방법 → Spray Coating : PR을 마이크로 단위의 물방울 형태로 분사하는 방식. → 분무기를 떠올리면 된다. → Spin Coating : PR을 도포하고 웨이퍼 기판을 회전시켜서 고르게 코팅되는 방식. → Slot Coating : 노즐이 기판 위를 직선으로 이동하여 PR을 분출하는 방식. → 기판이 큰 걸 코팅할 때 사용 ex) 디스플레이 Spray Coating 특징 → PR분사와 동시에 Solven..

"Photolithography" Photolithography : 마스크 상에 설계된 패턴을 웨이퍼 상에 구현하는 공정. Photolithography의 구성요소 1) PR(Photoresist) → 특정 파장대 영역의 빛이 광화학 반응을 일으킴. → Development(현상)공정을 통해 패턴을 형성함. 구성요소 : Solvent, Polymer, Sensitizer → Solvent : 용매, 점도를 결정. → Polymer : 단위 분자가 수천 개씩 결합한 상태로서 현상 후 패턴으로 남아있는 Resist의 실체. → Sensitizer : Development 공정에서 Polymer를 녹게 하거나 녹지 않게 하는 역할. PAC(Photo Active Compound)라고 함 성질 : 소수성 2) ..

"반도체 공정" 반도체 공정은 1개의 웨이퍼에 얼마나 많은 수의 칩을 찍을 수 있는지, 또 같은 수의 칩이 찍힌 웨이퍼에서 얼마나 불량률을 줄이고 많은 칩을 만들어낼 수 있는가에 따라 D램 1개를 만드는 데 드는 비용이 다르다. 1개의 웨이퍼에 더 많은 칩을 찍기 위해서는 회로의 선폭을 축소해 칩의 크기를 최대한 줄여야 한다. 이렇듯 작은 면적에 많은 선을 그려 넣어야 하기 때문에 반도체 제작에서는 선폭이 매우 중요하다. 선폭을 좁히기 위해서는 우수한 설계기술과 정밀 가공기술이 필요하다. 기술수준이 같다면 생산 과정에서 불량률을 줄이는 것이 중요하다. D램은 머리카락 한 올의 수천분의 1정도인 0.1마이크로미터 미만으로 미세하게 처리하는 공정을 수십 번 반복해 생산된다. 기술 트렌드는 미세공정에 초점을 ..

"웨이퍼 공정" 웨이퍼는 반도체 집적회로의 핵심 재료이며 Si, GaAs 등을 성장시켜 얻은 잉곳을 적당한 지름으로 얇게 썬 원판 모양의 판을 말한다. 대부분의 웨이퍼는 모래에서 추출한 Si로 만들며 Si는 지구상에 풍부하게 존재하고 독성이 없어 환경적으로 우수하다. 이러한 웨이퍼를 만드는 공정은 크게 3단계가 있다. 1) 잉곳 만들기 모래에서 추출한 Si를 반도체 재료로 사용하기 위해서는 순도를 높이는 정제 과정이 필요하다. Si 원료를 높은 온도에서 녹이고 고순도의 Si 용액을 만들고 이것을 결정 성장시켜서 굳게한다. 이렇게 만들어진 Si기둥을 잉곳이라 한다. 2) 잉곳 절단하기 우리가 알고 있는 웨이퍼 모양으로 하기 위해선 다이아몬드 톱을 이용해 균일한 두께로 얇게 써는 작업이 필요하다. 웨이퍼의 ..