PRAM, FRAM, MRAM에 대해 알아보자

"차세대 메모리 PRAM, FRAM, MRAM"

 

 

	PRAM	FRAM	MRAM
동작원리	특정 물질의 상변화	강유전체의 분극특성	전극의 자화 방향
장점	비휘발성, 고속, 고집적화	비휘발성, 고속, 저전력	비휘발성, 고속, 내구성
단점	쓰기 시간이 오래걸림	내구성이 취약함	상대적 고비용

 

 

PRAM(Phase Change Memory RAM)
→ 차세대 메모리 중 가장 먼저 상용화 제품이 개발이 되었다.
→ 현재 가장 빠르게 발전, 시장 가능성 가장 높다.

→ 상전이 물질을 이용해 메모리 반도체를 구성한 RAM으로, 전류를 가함에 따라서 물질의 내부 구조가 가해준 전류의 크기에 따라 변화하는 물질을 이용함.한다.

 

즉, 전류 크기에 따라 반도체 물질은 저항이 약한 고체가 되기도 하고 저항이 강한 액체가 되기도 하는데 이를 이용하여 데이터를 저장한다.

→ PRAM은 차세대 메모리 반도체 중 가장 큰 용량의 제품이 개발되어있는데, 삼성전자가 64Mb 제품을 세계최초로 개발한데 이어 최근 세계 최대 용량의 256Mb P램을 개발해내었다.

 

 

FRAM(Ferroelectric RAM)
→ 강유전체라는 물질의 성질을 이용하는 메모리 반도체이다.

강유전체 : 가연 상태에서 전기편극을 갖고 있는 물질로 전기장을 가하지 않아도 자발적으로 전기편극이 있는 물질이다.

 

 

MRAM(Magnetoresistive RAM)
→ PRAM, FRAM은 모두 전류의 크기나 방향을 이용해 정보를 기록하는 메모리 반도체이다. 그에 반면, MRAM은 전류가 아닌 자기장을 이용하여 데이터를 저장한다.