맘여린나

"DRAM 동작원리" DRAM의 Write(쓰기)동작과 Read(읽기)동작원리에 대해 알아보자 ● Write동작 → WL = H, BL = 1(High/Vdd) → Cap charge = High → C에 전하가 축적된다. → WL = H, BL = 0(Low/Gnd) → Cap discharge = Low → C에 축적된 전하가 DL을 통해 방전된다. ● Read동작 → WL에 1을 인가한다. → 1이 쓰여 있는 경우 : C의 전하가 방전되기 시작한다. → 충전 전압에서 부터 전압 강화된다. → 방전된 전하가 DL을 따라 Gnd로 이동하고, Cap BL이 전압 상승이 된다. → 이 떄의 전위차를 읽어 1로 판정한다. → 0이 쓰여 있는 경우 : C에서 나올 전하가 없으므로 전위차가 없다.

"DRAM의 Refresh와 해결방안" DRAM은 저장된 데이터를 보존하기 위해 Refresh 작업이 필요하다. 때문에 많은 전력을 소모하기 때문에 전하 보유능력의 향상을 위해 3차원 구조의 캐패시터 적층방식에 대한 연구가 활발하다. 단순히 적층구조의 높이를 높이면 구조물의 불안정성이 증가한다. 이를 해결하기 위해 제안된 방안 중 하나로 질화물을 그물눈 구조로 높이 쌓아올려 기계적 불안정성을 개선하는 MESH 구조가 있다. 적층구조 개발과 더불어 물질에 대한 연구도 함께 이루어지고 있는데 Ta205를 고유전물질로 사용하고 Ru를 전극으로 활용하는 MIM구조는 30~40nm의 기술노드에 적합할 것으로 예상하고 있다. DRAM의 한계와 극복 NAND Flash는 10nm 이하 공정 노드까지 앞서가고 있지만 ..

"DRAM이란 무엇인가" DRAM이란 Dynamic Random Access Memory로서 휘발성 메모리 소자로 많이 들어봤을 것이다. 이번엔 DRAM의 동작원리와 정의에 대해 알아보도록 하자. DRAM의 구성 DRAM은 Transistor(이하 TR)1개와 Capacitor(이하 C)1개로 구성된다. 이는 하나의 TR만으로 비트 요소를 구축하는 것이 불가능하기 때문이다. 대신 DRAM의 메모리 셀은 MOS TR를 통해 접근하는 작은 C에 정보를 저장하도록 구성되어 있다. DRAM의 동작원리 DRAM 한 비트에 대한 셀을 보면, WL(워드 선택선)에 HIGH 전압을 인가하면 접근할 수 있다. 1을 저장하려면 BL(비트선)에 HIGH 전압을 인가하여 ‘on' TR을 통해 C를 충전한다. 0을 저장하려면 ..