맘여린나

"MOSFET" MOSFET의 동작상태 1) 차단상태 → VGS와 VGD가 VTH보다 낮으며 VDS가 0보다 큰 경우. - 게이트가 닫혀 드레인과 소스 사이에 전류가 흐르지 못한다. → 실제로는 소스에 있는 전자 중에서 에너지가 높은 일부 전자들이 채널로 들어가서 드레인으로 흐르는 것이 가능한데, 이 전류를 문턱아래 누설전류라 부른다. → 트랜지스터가 차단 스위치로 사용될 때 이상적으로 전류가 흐르면 안되지만, 실제로는 미약한 전류가 흐른다. 2) 선형상태 → VGS와 VGD가 VTH보다 크고 VDS가 0보다 크고 포화상태 전압보다 작은 경우. → 선형상태에서는 게이트가 열려서 채널이 형성되며 소스에서 드레인 방향으로 전류가 흐른다. → 선형상태에서 게이트에 전압이 인가되면 소스와 드레인 사이 채널에 전..

"MOSFET" MOSFET이란, Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor을 말한다. MOSFET의 구조, 동작원리에 대해 알아보자. MOSFET의 구조 위 그림을 보면, MOSFET에 대한 전반적인 구조가 나와있다. MOSFET에서 MOS란, 금속, 산화물, 실리콘을 말하며, Source, Gate, Drain, Back Gate 총 네 단자로 구성되어있다. NMOS이면 고전압 쪽이 Drain, 저전압쪽이 Source가 되고 PMOS라면 반대가 된다. NMOS와 PMOS를 구분하는 기준은 채널이 N채널인지, P채널인지에 따라 나뉜다. 핑크색 부분이 금속, 검정색 부분이 산화물, 그리고 실리콘(p-type silicon)이다. 게이트를 중심으로 양옆은 소스와 드레인이..

"PN junction" PN junction P형 반도체와 N형 반도체를 결합시킨 것으로, 실제로 P형 반도체와 N형 반도체를 따로 만들어 접합시키는 것이 아니라 이온 주입의 방법으로 하나의 실리콘 반도체 결정에 한쪽에는 Al 등 3족 원소를 주입, 다른 쪽에는 P같은 5족 원소를 주입시킨 것을 말한다. N형 반도체, P형 반도체에 대한 설명은 예전에 올린 글로 대체 한다. P형 반도체에는 빈자리(hole)가 많이 있고 N형 반도체에는 전자(electron)가 모여 있으므로, 확산 작용에 의하여 일부 빈자리는 N형 반도체 쪽으로, 일부 전자는 P형 반도체 쪽으로 움직인다. 전자가 P형 반도체 쪽으로 움직이면 이 전자가 원래 속해있던 (5족 원소) 이온을 남기게 되어, P형 반도체 쪽은 전자에 의하여 음..

"Tunneling Effect" Tunneling Effect란 전자나 원자핵과 같은 미소한 입자는 역장의 장벽을 투과할 수 있다는 양자역학 특유의 효과이다. 원자핵에서 방출되는 K입자의 에너지는 K입자가 밖으로 나올 때 넘어야 하는 포텐셜 높이보다 작은 경우가 많은데도 K입자가 포텐셜을 통과하는 현상을 말한다. 반도체와 금속면의 접촉에 의해 생기는 전자의 흐름은 이 Tunneling Effect 때문이다. 반도체와 금속은 일종의 에너지 장벽(barrier)을 갖고 있다. 문제는 부도체 막이 얇아질수록, 가해지는 에너지가 커질수록 이러한 전자의 Tunneling이 일어나기가 쉽다. 기술이 발전함에 따라, 반도체 소자의 크기는 작아지고 요구하는 전력은 증가함에 따라 Tunneling이 심해진다. Tunn..