맘여린나

"차세대 메모리 PRAM, FRAM, MRAM" PRAM FRAM MRAM 동작원리 특정 물질의 상변화 강유전체의 분극특성 전극의 자화 방향 장점 비휘발성, 고속, 고집적화 비휘발성, 고속, 저전력 비휘발성, 고속, 내구성 단점 쓰기 시간이 오래걸림 내구성이 취약함 상대적 고비용 PRAM(Phase Change Memory RAM) → 차세대 메모리 중 가장 먼저 상용화 제품이 개발이 되었다. → 현재 가장 빠르게 발전, 시장 가능성 가장 높다. → 상전이 물질을 이용해 메모리 반도체를 구성한 RAM으로, 전류를 가함에 따라서 물질의 내부 구조가 가해준 전류의 크기에 따라 변화하는 물질을 이용함.한다. 즉, 전류 크기에 따라 반도체 물질은 저항이 약한 고체가 되기도 하고 저항이 강한 액체가 되기도 하는데..

"항복현상" [제너 다이오드] 제너 다이오드(Zener Diode)는 일반 다이오드와 동일한 PN접합 구조를 가지고 있다. PN접합 다이오드는 순방향 전압이 인가되면 전류가 흐르고, 역방향 전압이 인가되면 전류가 흐르지 않지만, 역방향 전압을 계속해서 증가시켜 인가하면 갑자기 전류가 흐르게 되는데 이러한 현상을 항복현상이라 하고 이때 인가된 전압을 항복전압(Breakdown Voltage)이라 한다. 항복현상은 Avalanche breakdown(애벌런치 항복)과 Zener breakdown(제너 항복)가 있다. 제너 다이오드는 항복현상을 이용한다. "Avalanche breakdown" → 눈사태처럼 전자가 기하급수적으로 불어나는 현상을 말한다. 기체의 절연파괴현상이 발생하기 직전에 전자가 다른 기체원..

"leakage current" 마이크로프로세서(Micro-processor)를 고속으로 동작하기 위해서는 Transistor를 보다 많이 탑재하면 된다. Transistor를 많이 넣으려면 크기가 작아져야 하는데, 작아지면 집적도가 높아지고, 한 장의 웨이퍼로부터 많은 칩을 얻을 수 있게 되므로 비용도 낮아지게 된다. 이로써, Transistor를 소형화하려는 연구들이 지속되고 있다. 그러나 Transistor의 크기를 줄이는데 문제가 있다. 누설 전류(leakage current)가 존재한다는 것이다. 누설 전류란 전류가 흘러야 할 곳이 아닌 다른 곳으로 흘러버리는 현상이다. 전류가 새는 것인데 이는 Transistor 본래의 동작에 기여하지 못한 채 소비전류만을 늘리게 된다. 이 누설 전류는 DRA..

"NAND Flash" Flash Memory 구조 → MOSFET의 Gate와 채널상의 Tunnel Oxide와 Floating Gate(FG)를 형성함 → Floating Gate : 전하를 저장하는 저장소 역할 동작원리(Write) → Program : Gate에 고전압 인가 → 채널의 전하가 Tunneling으로 FG로 이동해서 축전됨. → Program : FG에 전자가 있으면 0으로 인식함. → 통과한 전자는 FG에 저장되어 전계가 사라져도 산화막에 의해 외부로 유출되지 않게됨. → Erase : Body에 고전압 인가 → 축전된 전하가 Tunneling로 채널로 이동해서 방전됨. → Erase : FG에 전자가 없으면 1로 인식함. 동작원리(Read) → State에 따라 Threshold ..