맘여린나

"NAND Flash" Flash Memory 구조 → MOSFET의 Gate와 채널상의 Tunnel Oxide와 Floating Gate(FG)를 형성함 → Floating Gate : 전하를 저장하는 저장소 역할 동작원리(Write) → Program : Gate에 고전압 인가 → 채널의 전하가 Tunneling으로 FG로 이동해서 축전됨. → Program : FG에 전자가 있으면 0으로 인식함. → 통과한 전자는 FG에 저장되어 전계가 사라져도 산화막에 의해 외부로 유출되지 않게됨. → Erase : Body에 고전압 인가 → 축전된 전하가 Tunneling로 채널로 이동해서 방전됨. → Erase : FG에 전자가 없으면 1로 인식함. 동작원리(Read) → State에 따라 Threshold ..

"Photolithography" Development 공정 Spray Puddle Immersion 정의 저속 회전하면서 현상액을 분사하는 과정 초저속 회전상태에서 현상액 분사 후 표면장력을 이용하는 과정 현상액 탱크에 웨이퍼를 침전시켰다 빼는 과정 장점 → 현상액 소량 소모 → 항상 새 용액을 사용하기 때문에 깨끗함 → Spray 압력으로 인해 정확한 패턴 형성 가능 → 현상액 소량 소모 → 항상 새 용액을 사용하기 때문에 깨끗함 → Spray 공정 대비 온도 조절이 쉬움 → 공정이 간단 → 수 차례 재사용 가능 → 한꺼번에 다수의 웨이퍼 처리 가능 단점 → 고가의 설비 → 한 번에 처리할 수 있는 양이 적다 → Spray 온도 제어를 못하면 Positive PR의 현상에 영향 → 고가의 설비 → 한..

"Photolithography Issue" → PR 두께를 결정하는 요인 1) PR의 점도 : 점도가 높을수록 PR의 두께가 두껍다. 2) 최종 회전 속도 : RPM이 높을수록 PR의 두께는 얇아진다. 3) 기타 parameter : 가속도, 웨이퍼 크기, Polymer 함량 Coating 방법 → Spray Coating : PR을 마이크로 단위의 물방울 형태로 분사하는 방식. → 분무기를 떠올리면 된다. → Spin Coating : PR을 도포하고 웨이퍼 기판을 회전시켜서 고르게 코팅되는 방식. → Slot Coating : 노즐이 기판 위를 직선으로 이동하여 PR을 분출하는 방식. → 기판이 큰 걸 코팅할 때 사용 ex) 디스플레이 Spray Coating 특징 → PR분사와 동시에 Solven..

"Photolithography" Photolithography : 마스크 상에 설계된 패턴을 웨이퍼 상에 구현하는 공정. Photolithography의 구성요소 1) PR(Photoresist) → 특정 파장대 영역의 빛이 광화학 반응을 일으킴. → Development(현상)공정을 통해 패턴을 형성함. 구성요소 : Solvent, Polymer, Sensitizer → Solvent : 용매, 점도를 결정. → Polymer : 단위 분자가 수천 개씩 결합한 상태로서 현상 후 패턴으로 남아있는 Resist의 실체. → Sensitizer : Development 공정에서 Polymer를 녹게 하거나 녹지 않게 하는 역할. PAC(Photo Active Compound)라고 함 성질 : 소수성 2) ..