맘여린나

"Low Pass Filter" LPF(Low Pass Filter) 위 그림은 Low Pass Filter를 나타낸 회로도이다. Low Pass Filter란 말 그대로 낮은 것을 통과시키는 여과기라고 직역할 수 있는데, 우리는 회로를 해석하는 입장으로서 저주파만 통과하는 회로라고 이해하면 되겠다. 이 회로가 왜 낮은 주파수만 통과하는지 이론과 실험을 통해 알아보도록 하자. i) 이론 회로를 임피던스 측면에서 해석해보자. R -> R L -> jwL C -> 1/jwC 로 나타낼 수 있다. 그러면, 주어진 회로에서 입력 전압Vi과 출력전압Vo간의 관계를 나타낼 수 있다. -> Vi = Vo X C / (C + R) 이고, 이 식을 임피던스 측면에서 해석을 하면, Vi = Vo X 1/jwC / (1/j..

"High Pass Filter" HPF(High Pass Filter) 위 그림은 High Pass Filter를 나타낸 회로도이다. High Pass Filter란 말 그대로 높은 것을 통과시키는 여과기라고 직역할 수 있는데, 우리는 회로를 해석하는 입장으로서 고주파만 통과하는 회로라고 이해하면 되겠다. 이 회로가 왜 높은 주파수만 통과하는지 이론과 실험을 통해 알아보도록 하자. i) 이론 회로를 임피던스 측면에서 해석해보자. R -> R L -> jwL C -> 1/jwC 로 나타낼 수 있다. 그러면, 주어진 회로에서 입력 전압Vi과 출력전압Vo간의 관계를 나타낼 수 있다. -> Vi = Vo X R / (R + C) 이고, 이 식을 임피던스 측면에서 해석을 하면, Vi = Vo X R / (R +..

"Body effect" Body effect에 대해 알아보기 전에 MOSFET의 구조를 한 번더 살펴보자. MOSFET은 Gate, Source, Drain, Body으로 구성된 4단자 소자이다. 보통 Body를 제외한 나머지로 구성된 3단자 소자로 알고 있는데 헷갈리지 않도록 하자. 왜 3단자 소자로 알고 있는 경우가 많냐면 Body를 특별히 신경쓰지 않기 때문이다. Body를 기본으로 접지 시켜서 그런 것 같다. 다시 본론으로 돌아와서, Body effect에서 Body는 몸체, 기판을 의미하며, Body effect의 또 다른 말은 기판효과, 몸체효과라고 한다. 그리고 Vth modulation이라고도 한다. Vth modulation을 해석하면 '문턱전압 변조'로 해석할 수 있는데 기판에 (-)..

"원자결합" 원자결합의 종류로 크게 4가지로 나눌 수 있다. 이온, 공유, 금속, van der Waals 결합. 이번에는 4가지를 확실히 정리하고 헷갈리지 않도록 하자. 1) 이온결합 : 양이온과 음이온의 결합. 공유결합과 많이 헷갈렸는데, 이온결합의 특징은 전자를 잃은 양이온과 전자를 얻은 음이온과의 결합을 의미한다. 즉, 온전한 원자간의 결합이 아니라 뭘 얻거나 잃은 이온들의 결합을 의미하며 이들의 결과물은 전지적으로 중성을 띈다. 2) 공유결합 : 두 개 이상의 원자간의 결합. 전기적으로 중성인 산소 원자가 서로의 전자쌍을 공유함으로써 형성하는 결합이다. 이온결합과의 차이는 완전히 전자를 뺏어가지 못하는 점이다. 3) 금속결합 : 금속과 금속간의 결합. 금속과 금속간의 결합으로 자유전자들의 음전하..

"OLED" OLED는 Organic Light Emitting Diode의 약자로서, 스스로 빛을 낸다. OLED는 LCD보다 진화된 기술로 현재 개발, 연구중에 있다. 우선 OLED의 구조에 대해 알아보자. OLED구조 그림에서 보는 것 처럼, OLED는 LCD보다 층이 적어서 보다 얇으며, 얇기 때문에 세련된 디자인을 가질 수 있다. OLED를 공부하면서 LCD에 비해 OLED는 편광판이 필요없는 것으로 알고 있었는데, 편광판이 OLED에 들어가는 이유는 야외시인성을 확보하기 위함이다. 그 이유는 낮에 밝을 때, 화면을 보게 되면 바깥의 밝은 빛이 기기에서 나오는 빛보다 세기 때문에 기기를 잘 보지 못한 경험이 있을 것이다. 이 상황을 편광판이 "야외시인성"을 확보하기 위해 추가하였다고 한다. OL..

"쇼트키 접합(Schottky Contact), 옴 접합(Ohmic Contact)" 쇼트키(Schottky Contact)접합과 옴 접합(Ohmic Contact)를 공부하는데, 항상 헷갈리고 정리가 안돼서 이번 기회에 완벽하게 알기 위해 공부해보자. 쇼트키(Schottky Contact)접합과 옴 접합(Ohmic Contact)은 우선, Metal과 Semiconductor간의 결합이다. 먼저 쇼트키 접합에 대해 알아보도록 하자. 1) 쇼트키 접합 정보통신기술용어 해설 n-type 반도체 기준으로 알아보자. 위 그림은, 쇼트키 접합을 설명하기 위한 그림이다. 쇼트키 접합의 특징은, 금속의 일함수가 반도체의 일함수보다 클 때, 일어나는 현상이다. (일함수 work function : 전자하나를 떼어내기..

"LCD" LCD : Liquid Crystal Display의 약자로서, 액정이 있는 디스플레이라고 보면 되겠다. LCD의 가장 큰 특징은 BLU(Back Light Unit)을 광원으로 하여 액정을 이용해 컬러필터를 통과시켜서 원하는 이미지를 디스플레이로 출력하는 것인데, 이는 OLED와 구별되는 점이라고 볼 수 있다. LCD의 구조 사진 출처 : LG 백라이트 유닛, 편광판, 박막 트랜지스터, 액정, 컬러필터, 편광판으로 나눌 수 있다. 각각의 역할에 대해 알아보자 1) 백라이트 유닛(BLU : Back Light Unit) : 액정은 스스로 발광하지 못하여 빛을 내어주는 광원이 필요하다. 이 역할을 하는 것이 BLU이다. BLU는 CCFL에서 현재는 LED를 사용하고 있다. 2) 편광판(Polar..

"Ion Implantation" Ion Implantation(이온주입)이란 반도체 물질의 전기적인 특성을 수정하기 위해 반도체 물질의 결정 구조 속으로 도펀트를 주입하는 공정을 의미한다. 기판에 도펀트를 주입할 때, 고압의 이온충돌이 필요하다. 이온주입 공정과 확산 공정과의 차이점은 커버하는 영역을 예로 들 수 있는데, 이온주입은 확산에 비해 좁은 영역(정밀한 부분)의 전기적인 특성을 수정할 때 이온주입 공정을 사용한다. 이온주입의 장점 1) 불순물 농도의 정교한 제어 2) 저온에서 공정이 진행 3) 도펀트 침투 깊이를 제어할 수 있다 이온주입의 단점 도펀트를 주입할 떄, 기판의 결정구조가 손상이 된다. 이온주입기의 구조 이온주입기의 구조는 크게 5가지로 나눌 수 있다. 1) Ion source(이온..

"DRAM 공정 난이도는 선폭 감소분의 제곱에 비례해 증가" NAND와 비메모리는 DRAM에 비해 기술이 앞서고 있다. DRAM의 공정 기술은 한계점에 도달하였으며 미세화하기 위한 해결방안을 찾고 있다. DRAM 공정이 왜 어려울까 그 이유는 DRAM만이 가지고 있는 구조적 특수성 때문이다. DRAM은 휘발성 메모리로서 시간이 지나면 데이터를 잃어버리는 특성을 갖고 있다. DRAM에서 데이터를 저장하는 공간은 Capacitor이며, Capacitor은 DRAM의 cell에 존재한다. 데이터가 휘발되지 않도록 하는 Refresh 동작이 필요한데, 이 Refresh특성을 개선하는 것이 DRAM에서 구현에 가장 중요한 목표이다. DRAM의 동작원리와 구조는 앞서 알아보았고 DRAM 공정이 왜 어려운지 알아보도..

"High-k, Low-k" 공정이 점점 미세화 되면서 SiO2를 대신할 물질을 찾게 되었다. 그래서 나오게 된 개념이 High-k, Low-k이다. 그런데 왜 공정 수준이 미세화 되면서 SiO2을 대신할 물질을 찾게 되었을까? Capacitor, C 우선, 캐패시터에 대해 살펴보자. 캐패시터의 역할은 전하를 저장하는 창고역할을 한다. 즉, 전류가 흐르지 못하게 차단한다. 캐피시터 C는 k는 물체의 상수값, ε0는 유전율, A는 면적, t는 유전체의 거리를 뜻하며 창고 크기를 늘리고 싶으면 면적을 키우거나, 유전율을 높이거나 거리를 줄이면 된다. MOSFET 공정 수준이 작아지면서 소자의 크기도 점차 작아지게 되었고 그로 인해 크기가 작아진 소자가 원래의 기능을 하지 못하게 되었다. 위의 그림에서 보면,..